عنوان مقاله: Three P-Silicon Layer s in Reliable Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor transistor ترجمه عنوان: ورود سه لایه سیلیکون- پی، در ترانزیستور نیمه رسانا اکسید فلز با توزیع مضاعف جانبی رشته: برق و الکترونیک تعداد: 3 صفحه انگلیسی پی دی اف- 8 صفحه فارسی وورد قیمت: 25000 تومان سال انتشار: 2018 شماره تماس: 09119608453 پیام به ایتا: @edris011 🌷جهت دانلود ترجمه مقاله به لینک زیر مراجعه فرمایید🌷 http://edi-info.ir/----------------0.html رشته #برق ❤️🧡💛💚🖤🤎❤️‍🩹❤️‍🔥🧡💛